IEC 60747-8-4:2004 PDF
Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications
Название (английский):
IEC 60747-8-4:2004
Discrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications
- Формат:
- Электронный (PDF)
- Количество страниц:
- 121
- Дата публикации:
- 24 сентября 2004 г.
- Издание:
- IEC IS 60747 edition 1 version 1
- ICS:
- 31.080.30
- Технический комитет:
- SC 47E - Discrete semiconductor devices
Описание (английский):
Gives details for the following categories of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with inverse diodes: type B depletion (normally on) type and Type C enhancement (normally off) type.
Технические детали
- SKU
- IEC 60747-8-4:2004